电子发烧友网综合报道 三星电子高管近日在行业会议上表示，星预预计明年HBM（高带宽内存）将占据全球DRAM总产能的计明将占近成近30%。这一预测基于当前三大存储原厂已公布的全球资本开支计划及产线转换进度。

HBM的星预生产对晶圆资源的消耗远高于传统DRAM。由于采用TSV硅通孔堆叠工艺，计明将占近成生产单位容量HBM所需的全球晶圆面积约为同等容量DDR5的三倍以上。同时，星预堆叠键合工序复杂，计明将占近成良率爬坡周期较长，全球进一步增加了实际产能占用。星预按此换算，计明将占近成当HBM名义产能占比达到30%时，全球实际消耗的星预DRAM晶圆资源可能超过总产能的一半。

受此影响，计明将占近成分配给服务器DDR5、全球PC端DDR4/DDR5及移动端LPDDR等传统DRAM产品的晶圆供应相应减少。过去两年，受消费电子需求疲软影响，三星、SK海力士和美光持续削减传统DRAM产能以应对库存压力。当前行业正处于去库存尾声，HBM对产能的挤占客观上加快了传统DRAM供给端的收缩速度。

市场机构数据显示，部分规格的DDR5和企业级NAND闪存合约价已在近期出现上调。原厂正加速淘汰老旧DDR4产线，将其转换为HBM或先进制程DDR5生产线。低端通用型DRAM的供应量随之下降，终端厂商在采购时面临更紧的交期和更高的报价压力。

尽管HBM产能占比提升，但高端型号仍供不应求。英伟达Blackwell架构GPU及各大云厂商自研AI芯片对HBM3E的需求持续增长，而HBM4的研发与量产准备也在同步推进。CoWoS先进封装产能与HBM本身共同限制了AI服务器的出货节奏。存储成本在AI系统BOM中占比较高，其价格上涨对整机成本的影响较为直接。

在中国市场，国际大厂将资源集中于HBM和高端DDR5，为中低端DRAM留出一定空间。长鑫存储等国产厂商正逐步提升产能和良率，在消费级和部分工业级市场扩大供货。但若全球DRAM整体涨价传导至模组和终端环节，国内下游企业的采购成本也将同步上升。

HBM技术标准迭代较快，从HBM3到HBM3E再到HBM4，每一代都对产线设备和工艺提出新要求。原厂在扩产的同时需兼顾产线柔性，以适应不同客户对规格和交期的差异化需求。这对制造端的调度能力和供应链管理提出了更高要求。

目前，三大原厂均已公布明年HBM扩产目标，但实际产出仍取决于设备交付、良率提升及封装配套等环节的协同进展。传统DRAM的供应情况则将随HBM产能释放节奏动态调整。下游厂商正通过签订长期协议、优化BOM设计等方式应对可能的供应波动。

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